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ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL

2020-05-25 10:06:45

美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车,通信,数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM,组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP(I型)中。
 
功能说明
SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址,可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。。
 
待机模式
取消选择时,设备进入待机模式(HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH)。输入和输出引脚(I / O0-15)处于高阻抗状态。根据输入电平,此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
 
写模式
选择芯片时(LOW和CS2 HIGH),写使能()输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚(I / O0-15)处于数据输入模式。即使为LOW,在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW,来自I / O引脚(I / O0至I / O7)的数据被写入该位置。
在地址引脚上指定。处于低电平时,来自I / O引脚(I / O8至I / O15)的数据被写入该位置。
 
读取模式
选择芯片时(LOW和CS2为HIGH),写使能()输入为HIGH时,读操作出现问题。当为低电平时,输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW,来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时,来自内存的数据将出现在I / O8-15上。
 
在读取模式下,可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下,内部设备作为READ操作,但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式,因此使用有功电流。
 
工作温度范围
商用工作温度为0°C至+ 70°C ,电压为2.2V 3.3V 3.6V
工业工作温度为-40°C至+ 85°C ,电压为2.2V 3.3V 3.6V
汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C,电压为2.2V 3.3V 3.6V

ISSI 低功耗SRAM

Density Org. Part Number Vcc. Speed(ns) Pkg(Pins) 产品类型
16Mb 1Mx16 IS62WV102416ALL/BLL 1.65-3.6V 25,35 TSOP1(48),BGA(48) 16Mb LP SRAM芯片
8Mb 1Mx8 IS62WV10248DALL/BLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) 8Mb LP SRAM芯片
16Mb 1Mx16 IS62WV102416EALL/BLL 1.65-3.6V 35,45,55 BGA(48) 16Mb LP SRAM芯片
16Mb 1Mx16/2Mx8 IS62WV102416DALL/BLL 1.65-3.6V 35,45,55 TSOP1(48) 16Mb LP SRAM芯片
8Mb 1Mx8 IS62WV10248EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) 8Mb LP SRAM芯片



本文关键词:SRAM   低功耗SRAM   IS62WV1024


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